文献
J-GLOBAL ID:201302259988348650
整理番号:13A0243805
低リーク応用に向けたドープおよびアンドープFinFETデバイスにおけるゲート誘起ドレインリーク
GIDL in Doped and Undoped FinFET Devices for Low-Leakage Applications
著者 (4件):
KERBER Pranita
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
ZHANG Qintao
(IBM Microelectronics Div., NY, USA)
,
KOSWATTA Siyuranga
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
BRYANT Andres
(IBM Microelectronics Div., VT, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
34
号:
1
ページ:
6-8
発行年:
2013年01月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)