文献
J-GLOBAL ID:201302260509508190
整理番号:13A1293649
ドープしたMg2Siの熱電性能を高める導電性結晶粒界
Conducting grain boundaries enhancing thermoelectric performance in doped Mg2Si
著者 (7件):
MUTHIAH Saravanan
(CSIR-Network of Institutes for Solar Energy, CSIR-National Physical Lab., Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, IND)
,
PULIKKOTIL Jiji
(CSIR-Network of Institutes for Solar Energy, CSIR-National Physical Lab., Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, IND)
,
SRIVASTAVA A. K.
(CSIR-Network of Institutes for Solar Energy, CSIR-National Physical Lab., Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, IND)
,
KUMAR Ashok
(CSIR-Network of Institutes for Solar Energy, CSIR-National Physical Lab., Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, IND)
,
PATHAK B. D.
(Dep. of Mechanical Engineering, Delhi Technological Univ., Delhi, IND)
,
DHAR Ajay
(CSIR-Network of Institutes for Solar Energy, CSIR-National Physical Lab., Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, IND)
,
BUDHANI R. C.
(CSIR-Network of Institutes for Solar Energy, CSIR-National Physical Lab., Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi 110012, IND)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
103
号:
5
ページ:
053901-053901-5
発行年:
2013年07月29日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)