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文献
J-GLOBAL ID：201302260564465964
整理番号：13A1087226
NH3プラズマ処理したHfO2/SiO2ゲート誘電体積層のゼロ界面双極子誘起閾値電圧シフト
Zero interface dipole induced threshold voltage shift of HfO2/SiO2 gate dielectric stacks with NH3 plasma treatment
WANG Jer-chyi
(Dep. of Electronic Engineering, Chang Gung Univ., Kwei-Shan 333, Tao-Yuan, Taiwan)
,
CHEN Chia-hsin
(Dep. of Electronic Engineering, Chang Gung Univ., Kwei-Shan 333, Tao-Yuan, Taiwan)
,
LIU Hsiang-yu
(Dep. of Electronic Engineering, Chang Gung Univ., Kwei-Shan 333, Tao-Yuan, Taiwan)
,
LIN Chih-ting
(Dep. of Electronic Engineering, Chang Gung Univ., Kwei-Shan 333, Tao-Yuan, Taiwan)
,
LU Hsin-chun
(Dep. of Chemical and Materials Engineering, Chang Gung Univ., Kwei-Shan 333, Tao-Yuan, Taiwan)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 109 ページ： 120-122 発行年： 2013年09月
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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