文献
J-GLOBAL ID:201302260799064908
整理番号:13A1340611
UTBB FDSOI28nmノードのバイアス温度不安定性とホットキャリア回路経年劣化シミュレーション特異性
Bias Temperature Instability and Hot Carrier Circuit Ageing Simulations Specificities in UTBB FDSOI 28nm node
著者 (5件):
ANGOT D.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
HUARD V.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
FEDERSPIEL X.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
CACHO F.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
BRAVAIX A.
(IM2NP-ISEN, Toulon, FRA)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
2013 Vol.2
ページ:
574-578
発行年:
2013年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)