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文献
J-GLOBAL ID:201302260832717262   整理番号:13A0048459

体積及び表面ドーピングによるトポロジカル絶縁体のキャリア制御

Controlling the carriers of topological insulators by bulk and surface doping
著者 (17件):
ZHOU Bo
(SLAC National Accelerator Lab., CA, USA)
ZHOU Bo
(Univ. Oxford, GBR)
ZHOU Bo
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
LIU Z K
(SLAC National Accelerator Lab., CA, USA)
LIU Z K
(Stanford Univ., CA, USA)
ANALYTIS J G
(SLAC National Accelerator Lab., CA, USA)
IGARASHI K
(Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa, JPN)
MO S K
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
LU D H
(SLAC National Accelerator Lab., CA, USA)
MOORE R G
(SLAC National Accelerator Lab., CA, USA)
FISHER I R
(SLAC National Accelerator Lab., CA, USA)
FISHER I R
(Stanford Univ., CA, USA)
SASAGAWA T
(Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa, JPN)
SHEN Z X
(SLAC National Accelerator Lab., CA, USA)
SHEN Z X
(Stanford Univ., CA, USA)
HUSSAIN Z
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
CHEN Y L
(Univ. Oxford, GBR)

資料名:
Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)

巻: 27  号: 12  ページ: 124002,1-5  発行年: 2012年12月 
JST資料番号: E0503B  ISSN: 0268-1242  CODEN: SSTEET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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