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文献
J-GLOBAL ID：201302261222277534
整理番号：13A0785277
分子ビームエピタクシーによりSi(111)表面上に成長させたBi2Te3薄膜の2次元の弱い反局在
Two-dimensional weak anti-localization in Bi2Te3 thin film grown on Si(111)-(7 × 7) surface by molecular beam epitaxy
ROY Anupam
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
GUCHHAIT Samaresh
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
SONDE Sushant
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
DEY Rik
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
PRAMANIK Tanmoy
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
RAI Amritesh
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
MOVVA Hema C. P.
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
,
COLOMBO Luigi
(Texas Instruments, 12500 TI Boulevard, Dallas, Texas 75266, USA)
,
BANERJEE Sanjay K.
(Microelectronics Res. Center, The Univ. of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 102 号： 16 ページ： 163118-163118-5 発行年： 2013年04月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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