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文献
J-GLOBAL ID:201302261330938520   整理番号:13A1769400

ゾル-ゲル法により作製したデラフォサイトCuCr1-xMgxO2(0≦x≦12%)膜の電子遷移と電気輸送特性: 組成依存性の研究

Electronic transition and electrical transport properties of delafossite CuCr1-xMgxO2 (0 ≦ x ≦ 12%) films prepared by the sol-gel method: A composition dependence study
著者 (7件):
HAN M. J.
(Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...)
DUAN Z. H.
(Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...)
ZHANG J. Z.
(Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...)
ZHANG S.
(Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...)
LI Y. W.
(Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...)
HU Z. G.
(Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...)
CHU J. H.
(Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 114  号: 16  ページ: 163526-163526-9  発行年: 2013年10月28日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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