文献
J-GLOBAL ID:201302261531782286
整理番号:13A0353375
バルクGaNのハライド気相エピタクシー成長における低温GaNバッファ層の最適化
Optimization of low temperature GaN buffer layers for halide vapor phase epitaxy growth of bulk GaN
著者 (2件):
HEMMINGSSON Carl
(Dep. of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
,
POZINA Galia
(Dep. of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
366
ページ:
61-66
発行年:
2013年03月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)