文献
J-GLOBAL ID:201302261785549999
整理番号:13A0827935
イオン感知型電界効果トランジスターによるDNA感知の3次元シミュレーション:DNA位置と向きの最適化
Three-Dimensional Simulation of DNA Sensing by Ion-Sensitive Field-Effect Transistor: Optimization of DNA Position and Orientation
著者 (3件):
NISHIO Yuki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
UNO Shigeyasu
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
NAKAZATO Kazuo
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
4,Issue 2
ページ:
04CL01.1-04CL01.8
発行年:
2013年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)