文献
J-GLOBAL ID:201302261968226730
整理番号:13A0860343
不揮発性メモリに適用する電荷捕獲層としてのGa2O3(Gd2O3)
Ga2O3(Gd2O3) as a Charge-Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications
著者 (3件):
HUANG X.D.
(Univ. Hong Kong, HKG)
,
SIN Johnny K.O.
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
LAI P.T.
(Univ. Hong Kong, HKG)
資料名:
IEEE Transactions on Nanotechnology
(IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻:
12
号:
2
ページ:
157-162
発行年:
2013年03月
JST資料番号:
W1355A
ISSN:
1536-125X
CODEN:
ITNECU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)