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文献
J-GLOBAL ID：201302262097515351
整理番号：13A1784604
グラフェン電極を持つ高柔軟かつ透明多重層MoS2トランジスタ
Highly Flexible and Transparent Multilayer MoS2 Transistors with Graphene Electrodes
YOON Jongwon
(Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR)
,
PARK Woojin
(Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR)
,
BAE Ga-Yeong
(Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR)
,
KIM Yonghun
(Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR)
,
JANG Hun Soo
(Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR)
,
HYUN Yujun
(Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR)
,
LIM Sung Kwan
(Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR)
,
KAHNG Yung Ho
(Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR)
,
HONG Woong-Ki
(Korea Basic Sci. Inst., Jeollabuk-do, KOR)
,
LEE Byoung Hun
(Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR)
,
KO Heung Cho
(Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR)
資料名：
Small
(Small)
巻： 9 号： 19 ページ： 3295-3300 発行年： 2013年10月11日
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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