文献
J-GLOBAL ID:201302262731161576
整理番号:13A1618515
高速高密度の相変化メモリ応用のための超格子類似のSb50Se50/Ga30Sb70薄膜
Superlattice-like Sb50Se50/Ga30Sb70 thin films for high-speed and high density phase change memory application
著者 (7件):
HU Yifeng
(Functional Materials Res. Lab., Tongji Univ., Shanghai 200092, CHN)
,
FENG Xiaoyi
(Functional Materials Res. Lab., Tongji Univ., Shanghai 200092, CHN)
,
LI Simian
(State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technol., Dep. of Physics, Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou 510275, CHN)
,
LAI Tianshu
(State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technol., Dep. of Physics, Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou 510275, CHN)
,
SONG Sannian
(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Micro-System and Information Technol. ...)
,
SONG Zhitang
(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Micro-System and Information Technol. ...)
,
ZHAI Jiwei
(Functional Materials Res. Lab., Tongji Univ., Shanghai 200092, CHN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
103
号:
15
ページ:
152107-152107-4
発行年:
2013年10月07日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)