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文献
J-GLOBAL ID:201302262731161576   整理番号:13A1618515

高速高密度の相変化メモリ応用のための超格子類似のSb50Se50/Ga30Sb70薄膜

Superlattice-like Sb50Se50/Ga30Sb70 thin films for high-speed and high density phase change memory application
著者 (7件):
HU Yifeng
(Functional Materials Res. Lab., Tongji Univ., Shanghai 200092, CHN)
FENG Xiaoyi
(Functional Materials Res. Lab., Tongji Univ., Shanghai 200092, CHN)
LI Simian
(State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technol., Dep. of Physics, Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou 510275, CHN)
LAI Tianshu
(State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technol., Dep. of Physics, Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou 510275, CHN)
SONG Sannian
(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Micro-System and Information Technol. ...)
SONG Zhitang
(State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Micro-System and Information Technol. ...)
ZHAI Jiwei
(Functional Materials Res. Lab., Tongji Univ., Shanghai 200092, CHN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 103  号: 15  ページ: 152107-152107-4  発行年: 2013年10月07日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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