文献
J-GLOBAL ID:201302262972885230
整理番号:13A1283186
InP(311)B基板上の低密度自己集合InAs量子ドットの分子ビームエピタクシーによる作製
Fabrication of low-density self-assembled InAs quantum dots on InP(311)B substrate by molecular beam epitaxy
著者 (2件):
AKAHANE Kouichi
(National Inst. of Information and Communications Technol. (NICT), 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
YAMAMOTO Naokatsu
(National Inst. of Information and Communications Technol. (NICT), 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
378
ページ:
450-453
発行年:
2013年09月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)