文献
J-GLOBAL ID:201302263055082788
整理番号:13A0680663
あらかじめ析出されたインクジェットブレンドによって容易にされた,2,8-ジフルオロ-5,11-ビス(トリエチルシリルエチニル)アントラジチオフェン高性能薄膜トランジスタ
High-Performance 2,8-Difluoro-5,11-bis(triethylsilylethynyl) Anthradithiophene Thin-Film Transistors Facilitated by Predeposited Ink-Jet Blending
著者 (4件):
HAN Jeong In
(Dongguk Univ.-Seoul, Seoul, KOR)
,
LIM Chang-Yoon
(Dongguk Univ.-Seoul, Seoul, KOR)
,
PAR Sung Kyu
(Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Yong-Hoon
(Korea Electronics Technol. Inst., Gyeonggi, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
3,Issue 1
ページ:
031601.1-031601.5
発行年:
2013年03月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)