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文献
J-GLOBAL ID：201302263068083589
整理番号：13A0495087
プラズマ増強ALDと最適化プリカーサを使用した銅シード層厚みのスケーリング
Scaling of Copper Seed Layer Thickness Using Plasma-Enhanced ALD and Optimized Precursors
MAO Jiajun
(SUNY, NY, USA)
,
EISENBRAUN Eric
(SUNY, NY, USA)
,
OMARJEE Vincent
(American Air Liquide, DE, USA)
,
KOROLEV Andrey
(American Air Liquide, DE, USA)
,
DUSSARRAT Christian
(American Air Liquide, DE, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 26 号： 1 ページ： 17-22 発行年： 2013年02月
JST資料番号： T0521A ISSN： 0894-6507 CODEN： ITSMED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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