文献
J-GLOBAL ID:201302263573077976
整理番号:13A1899261
4H-SiC p-n接合からの電流注入誘起テラヘルツ波放射
Current injection induced terahertz emission from 4H-SiC p-n junctions
著者 (6件):
ANDRIANOV A. V.
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., St Petersburg 194021, RUS)
,
GUPTA J. P.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Delaware, Newark, Delaware 19716, USA)
,
KOLODZEY J.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Delaware, Newark, Delaware 19716, USA)
,
SANKIN V. I.
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., St Petersburg 194021, RUS)
,
ZAKHAR’IN A. O.
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., St Petersburg 194021, RUS)
,
VASILYEV Yu. B.
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., St Petersburg 194021, RUS)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
103
号:
22
ページ:
221101-221101-4
発行年:
2013年11月25日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)