文献
J-GLOBAL ID:201302264019431314
整理番号:13A1149503
従来の高出力LEDと比較したGaNに基づいた高電圧LEDの特性
Characteristics of GaN-Based High-Voltage LEDs Compared to Traditional High Power LEDs
著者 (10件):
ZHAN Teng
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
ZHANG Yang
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
MA Jun
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
TIAN Ting
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LI Jing
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Zhiqiang
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
YI Xiaoyan
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
GUO Jinxia
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG Guohong
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LI Jinmin
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名:
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻:
25
号:
9-12
ページ:
844-847
発行年:
2013年05月01日
JST資料番号:
T0721A
ISSN:
1041-1135
CODEN:
IPTLEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)