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文献
J-GLOBAL ID：201302264019431314
整理番号：13A1149503
従来の高出力LEDと比較したGaNに基づいた高電圧LEDの特性
Characteristics of GaN-Based High-Voltage LEDs Compared to Traditional High Power LEDs
ZHAN Teng
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
ZHANG Yang
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
MA Jun
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
TIAN Ting
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LI Jing
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU Zhiqiang
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
YI Xiaoyan
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
GUO Jinxia
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG Guohong
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LI Jinmin
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 25 号： 9-12 ページ： 844-847 発行年： 2013年05月01日
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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