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J-GLOBAL ID:201302264096441721   整理番号:13A0975107

イオン打込みによるBaSi2エピタキシャル膜の燐ドーピングに対する構造の研究

Structural study on phosphorus doping of BaSi2 epitaxial films by ion implantation
著者 (10件):
HARA K.o.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
HARA K.o.
(Core Res. for Evolutional Sci. and Technol., Japan Sci. and Technol. Agency, Gobancho, Chiyoda, Tokyo 102-0076, JPN)
HOSHI Y.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
USAMI N.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
USAMI N.
(Core Res. for Evolutional Sci. and Technol., Japan Sci. and Technol. Agency, Gobancho, Chiyoda, Tokyo 102-0076, JPN)
SHIRAKI Y.
(Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya, Tokyo 158-0082, JPN)
NAKAMURA K.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennohdai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
TOKO K.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennohdai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
SUEMASU T.
(Core Res. for Evolutional Sci. and Technol., Japan Sci. and Technol. Agency, Gobancho, Chiyoda, Tokyo 102-0076, JPN)
SUEMASU T.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennohdai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)

資料名:
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

巻: 534  ページ: 470-473  発行年: 2013年05月01日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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