文献
J-GLOBAL ID:201302264096441721
整理番号:13A0975107
イオン打込みによるBaSi2エピタキシャル膜の燐ドーピングに対する構造の研究
Structural study on phosphorus doping of BaSi2 epitaxial films by ion implantation
著者 (10件):
HARA K.o.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
HARA K.o.
(Core Res. for Evolutional Sci. and Technol., Japan Sci. and Technol. Agency, Gobancho, Chiyoda, Tokyo 102-0076, JPN)
,
HOSHI Y.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
USAMI N.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
USAMI N.
(Core Res. for Evolutional Sci. and Technol., Japan Sci. and Technol. Agency, Gobancho, Chiyoda, Tokyo 102-0076, JPN)
,
SHIRAKI Y.
(Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya, Tokyo 158-0082, JPN)
,
NAKAMURA K.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennohdai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
TOKO K.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennohdai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
SUEMASU T.
(Core Res. for Evolutional Sci. and Technol., Japan Sci. and Technol. Agency, Gobancho, Chiyoda, Tokyo 102-0076, JPN)
,
SUEMASU T.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennohdai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
534
ページ:
470-473
発行年:
2013年05月01日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)