文献
J-GLOBAL ID:201302264192486221
整理番号:13A0028617
ソフト逆方向回復ビルトインダイオードによるバンド間トンネル注入絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
Band-to-Band Tunneling Injection Insulated-Gate Bipolar Transistor with a Soft Reverse-Recovery Built-In Diode
著者 (6件):
JIANG Huaping
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
WEI Jin
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
ZHANG Bo
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
CHEN Wanjun
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
QIAO Ming
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
LI Zhaoji
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
33
号:
12
ページ:
1684-1686
発行年:
2012年12月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)