文献
J-GLOBAL ID:201302264301970180
整理番号:13A1418832
炭素マスク層を用いたGaN有機金属気相エピタキシーの両極性同時成長
Double-Polarity Selective Area Growth of GaN Metal Organic Vapor Phase Epitaxy by Using Carbon Mask Layers
著者 (6件):
FUJITA Yohei
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
TAKANO Yasushi
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
INOUE Yoku
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SUMIYA Masatomo
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
FUKE Shunro
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
NAKANO Takayuki
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
8,Issue 2
ページ:
08JB26.1-08JB26.5
発行年:
2013年08月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)