文献
J-GLOBAL ID:201302264430840080
整理番号:13A1187920
Agナノ粒子埋め込みBaTiO3薄膜の抵抗スイッチング効果の増強
Enhanced resistive switching effect in Ag nanoparticle embedded BaTiO3 thin films
著者 (6件):
AU K.
(Dep. of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic Univ. (Shenzhen Res. Institute), Hong Kong)
,
GAO X. S.
(Dep. of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic Univ. (Shenzhen Res. Institute), Hong Kong)
,
WANG Juan
(Dep. of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic Univ. (Shenzhen Res. Institute), Hong Kong)
,
BAO Z. Y.
(Dep. of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic Univ. (Shenzhen Res. Institute), Hong Kong)
,
LIU J. M.
(Inst. for Advanced Materials, South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
,
DAI J. Y.
(Dep. of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic Univ. (Shenzhen Res. Institute), Hong Kong)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
114
号:
2
ページ:
027019-027019-4
発行年:
2013年07月14日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)