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文献
J-GLOBAL ID：201302264790061537
整理番号：13A1936943
熱酸化の間のSiO2/Si(001)インタフェイスにおける酸化率と酸化-誘導歪みの関係
Relation Between Oxidation Rate and Oxidation-Induced Strain at SiO2/Si(001) Interfaces during Thermal Oxidation
OGAWA Shuichi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TANG Jiayi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YOSHIGOE Akitaka
(Japan Atomic Energy Res. Agency, Hyogo, JPN)
,
ISHIDZUKA Shinji
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
,
TERAOKA Yuden
(Japan Atomic Energy Res. Agency, Hyogo, JPN)
,
TAKAKUWA Yuji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52 号： 11,Issue 1 ページ： 110128.1-110128.7 発行年： 2013年11月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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