文献
J-GLOBAL ID:201302264829364796
整理番号:13A1220466
NdドープSiOx膜中のNd3+イオンの二つの増感過程の証拠
Evidence of two sensitization processes of Nd3+ ions in Nd-doped SiOx films
著者 (4件):
LIANG C.-h.
(CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen, 6 Bd Mal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA)
,
CARDIN J.
(CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen, 6 Bd Mal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA)
,
LABBE C.
(CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen, 6 Bd Mal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA)
,
GOURBILLEAU F.
(CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen, 6 Bd Mal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
114
号:
3
ページ:
033103-033103-8
発行年:
2013年07月21日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)