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文献
J-GLOBAL ID：201302264899980184
整理番号：13A1589495
Ti/WN/WSiNバリアメタルを有するメモリデバイスにおけるタングステン二重ポリ-メタルゲートの最適化
Optimization of Tungsten Dual Poly-Metal Gates in Memory Devices with Ti/WN/WSiN Barrier Metal
SUNG Min-Gyu
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
PARK Sung-Ki
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
ALI Ahmed I.
(Univ. Ulsan, Ulsan, KOR)
,
ALI Ahmed I.
(Helwan Univ., Cairo, EGY)
,
KIM Yong Soo
(Univ. Ulsan, Ulsan, KOR)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 13 号： 9 ページ： 6455-6458 発行年： 2013年09月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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