文献
J-GLOBAL ID:201302265056287319
整理番号:13A1293893
イオン化不純物散乱優位における多結晶半導体の伝導率への粒界ポテンシャル障壁高さとその変動の影響
Effects of grain-boundary potential barrier height and its fluctuation on conductivity of polycrystalline semiconductors in the ionized-impurity-scattering dominated case
著者 (1件):
KAJIKAWA Y.
(Dep. of Electric and Control Systems Engineering, Interdisciplinary Fac. of Sci. and Engineering, Shimane Univ. ...)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
114
号:
4
ページ:
043719-043719-8
発行年:
2013年07月28日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)