文献
J-GLOBAL ID:201302265058552664
整理番号:13A1283078
GaAs(001)上に成長したInAs湿潤層表面の新たな挙動へのab initioベースのアプローチ
Ab initio-based approach to novel behavior of InAs wetting layer surface grown on GaAs(001)
著者 (4件):
ITO Tomonori
(Dep. of Physics Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN)
,
HIRAI Kentaro
(Dep. of Physics Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN)
,
AKIYAMA Toru
(Dep. of Physics Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN)
,
NAKAMURA Kohji
(Dep. of Physics Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
378
ページ:
13-16
発行年:
2013年09月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)