文献
J-GLOBAL ID:201302265634529754
整理番号:13A0579054
電力半導体マイクロエレクトロニックスイッチの安全運転領域を制限する結合機構の理論とシミュレーション
Theory and simulation of combined mechanisms limiting the safe operating area of power semiconductor microelectronic switches
著者 (5件):
GORBATYUK A. V.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., ul. Politekhnicheskaya 26, 194021, St.Petersburg, RUS)
,
GORBATYUK A. V.
(Saint Petersburg State Polytechnical Univ., ul. Polytekhnicheskaya 29, 195251, St. Petersburg, RUS)
,
GUSIN D. V.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., ul. Politekhnicheskaya 26, 194021, St.Petersburg, RUS)
,
GUSIN D. V.
(Saint Petersburg State Polytechnical Univ., ul. Polytekhnicheskaya 29, 195251, St. Petersburg, RUS)
,
IVANOV B. V.
(Saint Petersburg State Electrotechnical Univ. “LETI”, ul. Prof. Popova 5, 197376, St.Petersburg, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
47
号:
3
ページ:
396-405
発行年:
2013年03月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)