文献
J-GLOBAL ID:201302265718365137
整理番号:13A0827848
動的プログラミング手順を使ったPチャネル シリコン-酸化物-窒化物-酸化物-シリコン記憶装置に捕獲された電荷の分布の研究
Study Trapped Charge Distribution in P-Channel Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Memory Device Using Dynamic Programming Scheme
著者 (9件):
LI Fu-Hai
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIU Yung-Yueh
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LEE Yen-Hui
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Ru-Wei
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
YANG Bo-Jun
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
SUN Wein-Town
(eMemory Technol. Inc., Hsinchu, TWN)
,
LEE Eric
(eMemory Technol. Inc., Hsinchu, TWN)
,
KUO Chao-Wei
(eMemory Technol. Inc., Hsinchu, TWN)
,
SHIROTA Riichiro
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
4,Issue 2
ページ:
04CD01.1-04CD01.4
発行年:
2013年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)