文献
J-GLOBAL ID:201302265874111412
整理番号:13A0633041
薄膜GaN-InGaN発光ダイオードの光効率に及ぼす内部吸収と干渉の影響
Influence of internal absorption and interference on the optical efficiency of thin-film GaN-InGaN light-emitting diodes
著者 (3件):
HEIKKILAE Oskari
(Dep. of Biomedical Engineering and Computational Sci., Aalto Univ., Helsinki, FIN)
,
OKSANEN Jani
(Dep. of Biomedical Engineering and Computational Sci., Aalto Univ., Helsinki, FIN)
,
TULKKI Jukka
(Dep. of Biomedical Engineering and Computational Sci., Aalto Univ., Helsinki, FIN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
102
号:
11
ページ:
111111-111111-4
発行年:
2013年03月18日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)