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文献
J-GLOBAL ID：201302265874111412
整理番号：13A0633041
薄膜GaN-InGaN発光ダイオードの光効率に及ぼす内部吸収と干渉の影響
Influence of internal absorption and interference on the optical efficiency of thin-film GaN-InGaN light-emitting diodes
HEIKKILAE Oskari
(Dep. of Biomedical Engineering and Computational Sci., Aalto Univ., Helsinki, FIN)
,
OKSANEN Jani
(Dep. of Biomedical Engineering and Computational Sci., Aalto Univ., Helsinki, FIN)
,
TULKKI Jukka
(Dep. of Biomedical Engineering and Computational Sci., Aalto Univ., Helsinki, FIN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 102 号： 11 ページ： 111111-111111-4 発行年： 2013年03月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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