文献
J-GLOBAL ID:201302265965377911
整理番号:13A0249893
急速熱プロセシング中のSi(100),Si(111)およびSOI基板上のケイ化マグネシウム薄膜の成長
Growth of magnesium silicide thin films on Si(100), Si(111) and SOI substrates during rapid thermal processing
著者 (3件):
KOGUT Iu.
(Inst. Materiaux Microelectronique et Nanosciences de Provence, IM2NP, UMR-CNRS 6242, Aix Marseille Univ., Case 142 ...)
,
KOGUT Iu.
(Scientific-Research Center “Crystal”, Lviv Polytechnic National Univ., 1 Kotlyarevski Str., Lviv 79013, UKR)
,
RECORD M.-c.
(Inst. Materiaux Microelectronique et Nanosciences de Provence, IM2NP, UMR-CNRS 6242, Aix Marseille Univ., Case 142 ...)
資料名:
Intermetallics
(Intermetallics)
巻:
32
ページ:
184-193
発行年:
2013年01月
JST資料番号:
W0672A
ISSN:
0966-9795
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)