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文献
J-GLOBAL ID：201302266252871092
整理番号：13A0921788
ゲート誘電体における正電荷のエネルギー分布:プロービング技術と種々の欠陥の影響
Energy Distribution of Positive Charges in Gate Dielectric: Probing Technique and Impacts of Different Defects
HATTA Sharifah Wan Muhamad
(John Moores Univ., Liverpool, GBR)
,
HATTA Sharifah Wan Muhamad
(Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS)
,
JI Zhigang
(John Moores Univ., Liverpool, GBR)
,
ZHANG Jian Fu
(John Moores Univ., Liverpool, GBR)
,
DUAN Meng
(John Moores Univ., Liverpool, GBR)
,
ZHANG Wei Dong
(John Moores Univ., Liverpool, GBR)
,
SOIN Norhayati
(Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS)
,
KACZER Ben
(IMEC, Leuven, BEL)
,
DE GENDT Stefan
(IMEC, Leuven, BEL)
,
DE GENDT Stefan
(KU Leuven, Leuven, BEL)
,
GROESENEKEN Guido
(IMEC, Leuven, BEL)
,
GROESENEKEN Guido
(KU Leuven, Leuven, BEL)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60 号： 5 ページ： 1745-1753 発行年： 2013年05月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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