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文献
J-GLOBAL ID：201302266253094936
整理番号：13A1795994
高スケーラブルSTT-MRAMにおける漂遊場抑制用逆バイアス磁場層によるトップピン止め垂直MTJ構造
Top-pinned Perpendicular MTJ Structure with a Counter Bias Magnetic Field Layer for Suppressing a Stray-Field in Highly Scalable STT-MRAM
IBA Y.
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
YOSHIDA C.
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
HATADA A.
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
NAKABAYASHI M.
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
TAKAHASHI A.
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
YAMAZAKI Y.
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
NOSHIRO H.
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
TSUNODA K.
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
TAKENAGA T.
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
AOKI M.
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
,
SUGII T.
(Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2013 ページ： 111-112 発行年： 2013年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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