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J-GLOBAL ID：201302266403830237 整理番号：13A1077177

収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数

Focused ion beam Ga implantation into P-doped SOI layer and its Seebeck coefficient

著者 (6件)：

鈴木悠平

(静岡大電子工研)

三輪一聡

(静岡大電子工研)

SALLEH Faiz

(日本学術振興会)

下村勝

(静岡大電子工研)

石田明広

(静岡大工)

池田浩也

(静岡大電子工研)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 113 号： 40(CPM2013 1-21) ページ： 33-37 発行年： 2013年05月09日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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