文献
J-GLOBAL ID:201302266758630050
整理番号:13A1824675
低周波雑音で評価した1nmEOTメタルゲートラストCMOSトランジスタの酸化膜トラップ密度とプロファイルに関して
On the Oxide Trap Density and Profiles of 1-nm EOT Metal-Gate Last CMOS Transistors Assessed by Low-Frequency Noise
著者 (6件):
SIMOEN Eddy
(Interuniversity Microelectronics Centre, Leuven, BEL)
,
VELOSO Anabela
(Interuniversity Microelectronics Centre, Leuven, BEL)
,
HIGUCHI Yuichi
(Panasonic, Leuven, BEL)
,
HORIGUCHI Naoto
(Interuniversity Microelectronics Centre, Leuven, BEL)
,
CLAEYS Cor
(Interuniversity Microelectronics Centre, Leuven, BEL)
,
CLAEYS Cor
(Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
60
号:
11
ページ:
3849-3855
発行年:
2013年11月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)