文献
J-GLOBAL ID:201302267357792984
整理番号:13A0341060
7T SRAMセル設計のための高水準漏洩電力低減技法の模型化とシミュレーション
Modeling and Simulation of High Level Leakage Power Reduction Techniques for 7T SRAM Cell Design
著者 (3件):
AKASHE Shyam
(Thapar Univ., Punjab, IND)
,
BHUSHAN Sushil
(RGPV Univ., M.P, IND)
,
SHARMA Sanjay
(Thapar Univ., Punjab, IND)
資料名:
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
巻:
1476
ページ:
35-41
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0071C
ISSN:
0094-243X
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)