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文献
J-GLOBAL ID:201302267357792984   整理番号:13A0341060

7T SRAMセル設計のための高水準漏洩電力低減技法の模型化とシミュレーション

Modeling and Simulation of High Level Leakage Power Reduction Techniques for 7T SRAM Cell Design
著者 (3件):
AKASHE Shyam
(Thapar Univ., Punjab, IND)
BHUSHAN Sushil
(RGPV Univ., M.P, IND)
SHARMA Sanjay
(Thapar Univ., Punjab, IND)

資料名:
AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)

巻: 1476  ページ: 35-41  発行年: 2012年 
JST資料番号: D0071C  ISSN: 0094-243X  資料種別: 会議録 (C)
発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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