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J-GLOBAL ID：201302268438350877 整理番号：13A1447058

硫化物処理をしたおよびしない無研磨p型Si表面のn型SnS接触の光起電特性

Photovoltaic properties of n-type SnS contact on the unpolished p-type Si surfaces with and without sulfide treatment

著者 (4件)：

HUANG Chung-cheng

(Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan)

LIN Yow-jon

(Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan)

LIU Chia-jyi

(Dep. of Physics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan)

YANG Yao-wei

(Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan)

資料名：

Microelectronic Engineering (Microelectronic Engineering)

巻： 110 ページ： 21-24 発行年： 2013年10月
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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