文献
J-GLOBAL ID:201302268473117700
整理番号:13A1418985
モンテカルロシミュレーションを用いた勾配ゲートフィールドプレートAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの遅延時間解析
Delay Time Analysis of Graded Gate Field-Plate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using Monte Carlo Simulation
著者 (4件):
HARA Kazuya
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
,
TOSHIMA Takuya
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
,
HARA Shinsuke
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
,
FUJISHIRO Hiroki I.
(Tokyo Univ. Sci., Chiba, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
8,Issue 2
ページ:
08JN27.1-08JN27.4
発行年:
2013年08月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)