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文献
J-GLOBAL ID：201302268693010320
整理番号：13A0621939
低周波雑音解析で検証した酸化物ベース抵抗ランダムアクセスメモリのための電流伝導モデル
Current Conduction Model for Oxide-Based Resistive Random Access Memory Verified by Low-Frequency Noise Analysis
FANG Z.
(Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
,
YU H. Y.
(South Univ. Sci. and Technol. China, Shenzhen, CHN)
,
FAN W. J.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
GHIBAUDO G.
(MINATEC, Grenoble, FRA)
,
BUCKLEY J.
(MINATEC, Grenoble, FRA)
,
DESALVO B.
(MINATEC, Grenoble, FRA)
,
LI X.
(Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
,
WANG X. P.
(Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
,
LO G. Q.
(Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
,
KWONG D. L.
(Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60 号： 3 ページ： 1272-1275 発行年： 2013年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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