文献
J-GLOBAL ID:201302269158591514
整理番号:13A1323577
金属誘起横方向結晶化に対するMSi2/Si(111)(M=Co,Ni)界面構造の効果
Effect of MSi2/Si(111) (M=Co, Ni) interface structure on metal induced lateral crystallization
著者 (4件):
AHN Ji-su
(Nano Device Lab., Sejong Univ., 98 Gunja-dong, Gwangjin-gu, Seoul 143-747, KOR)
,
YOON Yeo-geon
(Samsung Display Co., Ltd., Nongseo-dong, Kiheung, Yongin-si, Gyeonggi-do 446-920, KOR)
,
KIM Deok-kee
(Nano Device Lab., Sejong Univ., 98 Gunja-dong, Gwangjin-gu, Seoul 143-747, KOR)
,
JOO Seung-ki
(School of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., San 56-1, Shinrim-Dong, Kwanak-gu, Seoul 151-742, KOR)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
542
ページ:
426-429
発行年:
2013年09月02日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)