文献
J-GLOBAL ID:201302269239845316
整理番号:13A0561902
シリコンおよびサファイア上の分子ビームエピタキシャルAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタリーク熱活性化
Molecular beam epitaxial AlGaN/GaN high electron mobility transistors leakage thermal activation on silicon and sapphire
著者 (8件):
FONTSERE A.
(IMB-CNM-CSIC, Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, ESP)
,
PEREZ-TOMAS A.
(IMB-CNM-CSIC, Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, ESP)
,
PLACIDI M.
(IREC, Jardins de les Dones de Negre 1, 08930 Sant Adria de Besos, Barcelona, ESP)
,
BARON N.
(CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, FRA)
,
CHENOT S.
(CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, FRA)
,
MORENO J. C.
(CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, FRA)
,
RENNESSON S.
(CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, FRA)
,
CORDIER Y.
(CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, FRA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
102
号:
9
ページ:
093503-093503-5
発行年:
2013年03月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)