文献
J-GLOBAL ID:201302269321400535
整理番号:13A1533059
ゲルマニウム-スズ(Ge1-xSnx)を越えたゲルマニウムの高選択性ドライエッチング Ge1-xSnxナノ構造作製のための新しい道
Highly Selective Dry Etching of Germanium over Germanium-Tin (Ge1-xSnx): A Novel Route for Ge1-xSnx Nanostructure Fabrication
著者 (7件):
GUPTA Suyog
(Stanford Univ., California, USA)
,
CHEN Robert
(Stanford Univ., California, USA)
,
HUANG Yi-Chiau
(Applied Materials Inc., California, USA)
,
KIM Yihwan
(Applied Materials Inc., California, USA)
,
SANCHEZ Errol
(Applied Materials Inc., California, USA)
,
HARRIS James S.
(Stanford Univ., California, USA)
,
SARASWAT Krishna C.
(Stanford Univ., California, USA)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
13
号:
8
ページ:
3783-3790
発行年:
2013年08月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)