文献
J-GLOBAL ID:201302269583663677
整理番号:13A1796987
超薄RFマグネトロンスパッタAl2O3ゲートによる窒化ガリウムの表面パシベーション
Surface Passivation of Gallium Nitride by Ultrathin RF-Magnetron Sputtered Al2O3 Gate
著者 (2件):
QUAH Hock Jin
(Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS)
,
CHEONG Kuan Yew
(Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
5
号:
15
ページ:
6860-6863
発行年:
2013年08月14日
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)