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文献
J-GLOBAL ID:201302269583663677   整理番号:13A1796987

超薄RFマグネトロンスパッタAl2O3ゲートによる窒化ガリウムの表面パシベーション

Surface Passivation of Gallium Nitride by Ultrathin RF-Magnetron Sputtered Al2O3 Gate
著者 (2件):
QUAH Hock Jin
(Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS)
CHEONG Kuan Yew
(Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS)

資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)

巻:号: 15  ページ: 6860-6863  発行年: 2013年08月14日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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