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文献
J-GLOBAL ID：201302270081702618
整理番号：13A1815275
P過剰GaN<sub>x</sub>P<sub>1-x</sub>(0<x≦0.05)の組成と温度に依存するバンドギャップエネルギーの発展
The evolution of the band gap energy of the P-rich GaN<sub>x</sub>P <sub>1-x</sub>(0 < x≦0.05) on composition and temperature
ZHAO Chuan-Zhen
(Tianjin Polytechnics Univ., Tianjin, CHN)
,
WANG Sha-Sha
(Tianjin Polytechnics Univ., Tianjin, CHN)
,
LU Ke-Qing
(Tianjin Polytechnics Univ., Tianjin, CHN)
,
WEI Tong
(Civil Aviation Univ. China, Tianjin, CHN)
,
LI Na-Na
(Tianjin Polytechnics Univ., Tianjin, CHN)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 427 ページ： 58-61 発行年： 2013年
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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