文献
J-GLOBAL ID:201302270206822220
整理番号:13A1605429
ZnSeベースの傾斜ギャップ層を持つ光電変換器
Photoelectric converters with graded-gap layers based on ZnSe
著者 (4件):
BOBRENKO Yu. N.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
,
PAVELETS S. Yu.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
,
PAVELETS A. M.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
,
YAROSHENKO N. V.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
47
号:
10
ページ:
1372-1375
発行年:
2013年10月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)