文献
J-GLOBAL ID:201302270436402548
整理番号:13A0057552
ドレイン拡張MOSデバイスのESDロバスト性に関する概説
A Review on the ESD Robustness of Drain-Extended MOS Devices
著者 (2件):
SHRIVASTAVA Mayank
(Intel Mobile Communications GmbH, Munich, DEU)
,
GOSSNER Harald
(Intel Mobile Communications GmbH, Munich, DEU)
資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻:
12
号:
4
ページ:
615-625
発行年:
2012年12月
JST資料番号:
W1320A
ISSN:
1530-4388
CODEN:
ITDMA2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)