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文献
J-GLOBAL ID：201302271367546687
整理番号：13A0015142
付加的多結晶シリコンボディのあるブロック酸化膜ソース/ドレイン結合多結晶シリコン薄膜トランジスタの実験的研究
An Experimental Study of Block-Oxide Source/Drain-Tied Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors With Additional Polycrystalline-Silicon Body
LIN Jyi-Tsong
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
ENG Yi-Chuen
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
FAN Yi-Hsuan
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59 号： 12 ページ： 3377-3381 発行年： 2012年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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