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文献
J-GLOBAL ID：201302271588420262
整理番号：13A1354438
2次元静電気効果を用いた無接合多重ゲートMOSFETのドーピング濃度とフラットバンド電圧の抽出法
Method for Extracting Doping Concentration and Flat-Band Voltage in Junctionless Multigate MOSFETs Using 2-D Electrostatic Effects
RUDENKO Tamara
(Lashkaryov Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR)
,
YU Ran
(Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
,
BARRAUD Sylvain
(LETI, Commissariat a l’Energies Atomique et aux Energies Alternatives, Grenoble, FRA)
,
CHERKAOUI Karim
(Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
,
NAZAROV Alexey
(Lashkaryov Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 34 号： 8 ページ： 957-959 発行年： 2013年08月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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