文献
J-GLOBAL ID:201302271588420262
整理番号:13A1354438
2次元静電気効果を用いた無接合多重ゲートMOSFETのドーピング濃度とフラットバンド電圧の抽出法
Method for Extracting Doping Concentration and Flat-Band Voltage in Junctionless Multigate MOSFETs Using 2-D Electrostatic Effects
著者 (5件):
RUDENKO Tamara
(Lashkaryov Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR)
,
YU Ran
(Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
,
BARRAUD Sylvain
(LETI, Commissariat a l’Energies Atomique et aux Energies Alternatives, Grenoble, FRA)
,
CHERKAOUI Karim
(Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
,
NAZAROV Alexey
(Lashkaryov Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
34
号:
8
ページ:
957-959
発行年:
2013年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)