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文献
J-GLOBAL ID：201302271696311658
整理番号：13A1618512
AlGaN/GaN高移動度トランジスタのための低抵抗の銅ベースのOhm接触
Low resistance copper-based ohmic contact for AlGaN/GaN high electron mobility transistors
WONG Yuen-yee
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan)
,
CHEN Yu-kong
(Inst. of Lighting and Energy Photonics, National Chiao Tung Univ., Tainan 71150, Taiwan)
,
MAA Jer-shen
(Inst. of Lighting and Energy Photonics, National Chiao Tung Univ., Tainan 71150, Taiwan)
,
YU Hung-wei
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan)
,
TU Yung-yi
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan)
,
DEE Chang-fu
(Inst. of Microengineering and Nanoelectronics, Universiti Kebangsaan Malaysia, 43600 Bangi, Selangor, Malaysia)
,
YAP Chi-chin
(School of Applied Physics, Fac. of Sci. and Technol., Universiti Kebangsaan Malaysia, 43600 Bangi, Selangor, Malaysia)
,
YI CHANG Edward
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 15 ページ： 152104-152104-4 発行年： 2013年10月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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