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文献
J-GLOBAL ID：201302272041082750
整理番号：13A1290714
200°Cでのプラズマ支援化学蒸着法によって堆積した高品質エピタキシャルシリコン膜の界面の微調整
Fine-tuning of the interface in high-quality epitaxial silicon films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition at 200 °C
MORENO Mario
(National Inst. for Astrophysics, Puebla, MEX)
,
PATRIARCHE Gilles
(Lab. de Photonique et de Nanostructures LPN, CNRS, Marcoussis, FRA)
,
CABARROCAS Pere Roca i
(Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
資料名：
Journal of Materials Research
(Journal of Materials Research)
巻： 28 号： 13 ページ： 1626-1632 発行年： 2013年07月14日
JST資料番号： D0987B ISSN： 0884-2914 CODEN： JMREEE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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