文献
J-GLOBAL ID:201302272403178599
整理番号:13A0794618
ナノスケールデバイス接合のバンド間リーク電流の原子論的ドーピングに誘起された変動性の証拠
Evidence for an Atomistic-Doping Induced Variability of the Band-to-Band Leakage Current of Nanoscale Device Junctions
著者 (8件):
GHETTI A.
(Micron Technol. Inc., Agrate Brianza (MB), ITA)
,
MONZIO COMPAGNONI C.
(Politecnico di Milano, Milano, ITA)
,
DIGIACOMO L.
(Micron Technol. Inc., Agrate Brianza (MB), ITA)
,
VENDRAME L.
(Micron Technol. Inc., Agrate Brianza (MB), ITA)
,
SPINELLI A. S.
(Politecnico di Milano, Milano, ITA)
,
SPINELLI A. S.
(IFN, CNR, Milano, ITA)
,
LACAITA A. L.
(Politecnico di Milano, Milano, ITA)
,
LACAITA A. L.
(IFN, CNR, Milano, ITA)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2012
ページ:
708-711
発行年:
2012年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)